
삼성전자와 SK하이닉스가 나란히 세계 최대 메모리 기술 콘퍼런스에서 차세대 메모리 기술을 공개하며 AI 시대 메모리 주도권 경쟁에 뛰어들었다. 삼성전자는 독자 개발한 3D 아키텍처로 기술 리더십을 과시했고, SK하이닉스는 글로벌 업체들과 손잡고 개방형 표준을 주도하는 전략을 택했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 4일(현지시간)부터 6일까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 나란히 참가해 각각 차세대 메모리 기술을 선보였다. 삼성전자는 이번 행사에서 약 20평 규모의 최대 전시 공간을 마련하고 AI 클라우드 서버를 형상화한 부스를 꾸렸다. 전시 공간은 하이라이트, 클라우드 AI, 엣지 AI 존으로 나눠 D램부터 낸드, 스토리지에 이르는 30개 제품을 선보이며 AI 메모리 핵심 기술과 고객 맞춤형 솔루션을 소개했다. 행사 첫날인 4일 오전 11시 40분에는 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 기조연설에 나서 3D 메모리·스토리지 아키텍처 혁신을 주제로 기술 비전을 발표했다. 두 사람은 이 자리에서 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 목업을 공개했다. zHBM은 기존에 AI 가속기(xPU) 옆에 HBM을 나란히 배치하던 방식에서 한 단계 나아가, 가속기 위에 HBM을 수직으로 쌓아 올리는 구조다. 데이터 이동 거리를 최소화해 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능과 3배 향상된 전성비를 구현하고, 열 저항은 절반 이상 낮췄다는 게 삼성전자 설명이다. 특히 메모리와 가속기 사이 인터레이어에 고객 맞춤형 설계를 더할 수 있어, 고객사와의 협업을 통해 용량 확장이나 가속기 성능 강화 등 제품 특성을 최적화할 수 있다는 점을 강점으로 내세웠다. 낸드 부문에서도 기존 V-NAND의 수직 적층 기술에 TSV를 결합해 4~8단 반도체 칩을 3D 패키징한 zNAND-O를 함께 공개했다. 온디바이스 AI 환경에 최적화된 제품으로, 높은 공간 효율성과 데이터 로딩 대역폭을 바탕으로 실시간 대규모 데이터 처리에 강점을 지녔다. 이와 함께 400단 이상의 10세대 V-NAND인 'V10 BV-NAND'도 업계 최초로 공개했다. 13년 전 같은 행사에서 세계 최초로 V-NAND 기술을 발표한 이후 이어온 기술 혁신의 연장선이라는 게 회사 측 설명이다. 웨이퍼 본딩과 3 Stack 기술을 통해 400단 이상 적층을 구현했으며, 집적도는 전 세대(V9) 대비 약 58% 향상됐다. 이 밖에도 HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763 등 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터용 차세대 메모리·스토리지 로드맵도 함께 제시했다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4를 양산 출하한 데 이어 5월에는 HBM4E 샘플을 세계 최초로 고객사에 공급했다. 이번 행사에서는 신규 열관리 기술인 HPB를 적용한 HBM5 목업도 처음 선보였다. 삼성전자는 메모리·로직·파운드리·패키징을 모두 아우르는 세계 유일의 종합반도체(IDM) 기업이라는 점을 앞세워, 설계부터 양산까지 통합 서비스를 제공하는 '원스톱 솔루션' 전략으로 AI 반도체 리더십을 지속 강화하겠다는 방침이다. 반면 SK하이닉스는 같은 행사에서 미국 메모리 업체 샌디스크와 함께 차세대 스토리지 기술인 고대역폭플래시(HBF)의 첫 표준 규격을 공개하며 다른 승부수를 던졌다. AI 추론 확산으로 급증하는 데이터 처리 수요에 대응해 차세대 낸드플래시 시장의 주도권을 확보하겠다는 전략이다. SK하이닉스와 샌디스크는 지난해 8월 HBF 표준화를 위한 협력에 착수한 데 이어 올해 2월 구글, 텐스토렌트와 함께 컨소시엄을 출범했다. 이번 규격은 컨소시엄 출범 약 6개월 만에 내놓은 첫 결과물이다. HBF는 HBM과 SSD 사이에 놓이는 새로운 메모리 계층이다. 낸드플래시를 기반으로 하기 때문에 D램 기반인 HBM보다 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있고, 여러 낸드 다이를 수직으로 쌓아 전송 속도도 높였다. 이 때문에 AI 추론 확산에 따른 메모리 병목을 완화할 차세대 기술로 주목받고 있다. 이번에 공개한 규격은 낸드 다이를 8단 또는 16단으로 쌓는 두 가지 방식이며, 최대 저장용량은 512기가바이트(GB)다. 데이터 전송 대역폭은 성능에 따라 세 등급으로 나눠 초당 0.4테라바이트(TB)에서 3.0TB까지 구현하도록 규정했다. 특히 SK하이닉스는 HBF와 프로세서를 연결하는 방식에 업계 표준인 UCIe를 채택해 GPU·CPU 등 다양한 프로세서와의 호환성을 높였다. 규격 공개도 세계 최대 개방형 데이터센터 기술 협력체인 OCP를 통해 이뤄졌다. 엔비디아와 키옥시아 등이 각기 다른 차세대 AI 메모리 기술을 개발하고 있는 상황에서, 참여 업체를 늘려 HBF를 업계 표준으로 정착시키려는 개방형 전략인 셈이다. SK하이닉스는 HBM에서 쌓은 적층·패키징 기술과 낸드 설계·양산 역량을 HBF에 접목해 AI 메모리 주도권을 HBM에서 고성능 낸드 스토리지로 넓히겠다는 계획이다. 'HBM의 아버지'로 불리는 김정호 KAIST 전기·전자공학부 교수는 2038년쯤 HBF 수요가 HBM을 넘어설 것이라는 전망을 내놓기도 했다. SK하이닉스는 행사 기간 특성이 다른 여러 메모리를 하나의 체계로 연결해 최적화하는 '계층형 메모리' 기반의 차세대 구조 방향성을 제시하고, 구글 딥마인드, 샌디스크 임원이 한자리에 모여 HBF의 역할과 가능성을 논의하는 패널 토의도 진행할 예정이다. 이와 함께 개발이 순조롭게 진행 중인 10세대(V10) 375단 4D 낸드의 웨이퍼와 제품도 이번 행사에서 처음 공개했다. 전력 대비 성능을 이전 세대보다 2.5배 높인 것이 특징으로, 회사는 내년 초 이를 기반으로 한 고성능·고용량 eSSD 양산에 착수할 계획이다. 김천성 부문장은 “AI 활용이 빠르게 확산하면서 데이터 처리 구조 전반의 재설계가 요구되는 시점"이라며 “HBF를 통해 메모리와 스토리지 간 경계를 확장하고, 시스템 전반의 효율을 높이는 새로운 아키텍처 구현에 기여하겠다"고 말했다. 김하나 기자 uno@ekn.kr
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