삼성전자, 파운드리 4㎚ 순항…고객사 확보 '청신호'

▲삼성전자.

[에너지경제신문 여이레 기자] 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)가 4㎚ 수율을 75% 이상 끌어올렸다. 이어 미국 테일러시에 짓고 있는 반도체 공장에서 내년말 4㎚ 제품 양산을 시작할 계획으로 고객사 확보에도 청신호가 켜졌다.

17일 하이투자증권의 보고서에 따르면 삼성전자 파운드리의 4㎚ 수율이 75% 이상, 3㎚는 60% 이상으로 추정된다. 수율 60%는 고객사 제품을 안정적으로 양산할 수 있는 수준으로 평가받는다. 4㎚는 현재 주요 팹리스 업체들이 대부분 사용하고 있는 공정으로 수율 향상에 따른 고객사 물량 수주에도 긍정적 영향을 미칠 것으로 전망된다.

아울러 삼성전자 미국 텍사스주 테일러시 반도체 파운드리 공장 공사도 순항하고 있다. 삼성전자는 170억달러(약 22조원)를 투자해 테일러시에 파운드리 공장을 건설 중이다. 규모는 약 500만㎡이며 연내 완공, 내년 하반기 가동을 목표로 건설 중이다.

경계현 삼성전자 반도체(DS) 부문 사장은 지난 14일 자신의 SNS를 통해 "테일러 팹(공장) 공사가 한창이다. 외관 골조가 완성되고 내장 공사가 시작되고 있다"며 "내년 말 여기서 4㎚부터 양산 제품의 출하가 시작될 것"이라고 전했다.

이어 그는 "미국 주요 고객들은 자신들의 제품이 이곳에서 생산되기를 기대한다"고 덧붙였다. 테일러 공장은 고객사가 칩 위탁 생산을 주문하기 전에 제조에 필요한 설비(클린룸)를 먼저 확보해놓는 ‘셸 퍼스트’ 전략 중심지로도 꼽힌다.

삼성전자는 초미세공정 개발·양산 기술력과 수율 안정화 등을 발판 삼아 대형고객사 수주물량 확보에 속도를 내고 있다. 오는 2028년에 2017년 대비 5배 이상 고객사를 확보할 방침이다.

한편, 삼성전자는 이미 3㎚ 공정에서 게이트올어라운드(GAA)를 도입하고도 수율을 60% 수준까지 끌어올린 것으로 알려졌다. 세계 최초 GAA 방식의 3㎚ 공정을 양산한 기술력은 삼성전자의 최대 경쟁력이다.

앞서 경계현 사장은 "핀펫보다 GAA가 (파워 등 측면에서) 장점이 있다"며 "GAA에 대한 고객의 반응이 매우 좋다"고 언급했다. 이어 "고객사명을 언급할 수 없지만, 알 만한 거의 모든 기업이 같이 일하고 있다"고 강조했다.

GAA는 삼성전자가 3㎚ 공정부터 적용한 차세대 트랜지스터 제조 기술이다. 게이트가 채널의 4면을 둘러싸고 있는 구조의 트랜지스터로, 게이트가 3면과 접촉하는 기존 핀펫(FinFET)보다 성능·전력 소모 등에서 우위를 보인다. 2㎚부터 GAA 방식을 적용하는 TSMC보다도 한 발 앞서 GAA 기술을 채택했다.

하이투자증권은 "3㎚ 이하 파운드리 자체 난도가 높기 때문에 삼성전자가 2㎚ 경쟁에서 유리할 것"이라고 전망했다.


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