재계 ‘기술 초격차’로 경기 불황 넘는다

▲삼성전자가 업계 최초로 개발한 최선단 12나노급 D램 이미지.

[에너지경제신문 여헌우 기자] 재계 주요 기업들이 ‘기술 초격차’를 앞세워 경기 불황 돌파를 시도하고 있다. 대부분 품목이 수요는 줄고 경쟁은 치열해지고 있는 만큼 차별화된 장점을 확보하는 차원이다.

22일 재계에 따르면 삼성전자는 최근 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램 양산을 시작했다. 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다.

신제품은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상된 게 특징이다. 소비 전력은 약 23% 개선됐다. 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다.

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다.

삼성전자는 기술 개발을 통해 D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 하고 있다는 분석이다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 "대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능·고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 말했다.

SK하이닉스는 D램의 적층을 12단까지 늘리는 데 성공했다. 회사는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발했다고 지난달 밝혔다.

작년 6월 HBM3를 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발한 것이다. SK하이닉스 관계자는 "최근 인공지능(AI) 대화형 로봇 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것"이라고 내다봤다.

디스플레이 업계는 중국에 빼앗긴 글로벌 점유율 1위 자리를 2027년까지 탈환한다는 목표를 제시했다. 총 65조원을 투자해 ‘기술 초격차’를 실현하겠다는 의지다. 삼성·LG디스플레이는 이를 통해 점유율을 50%까지 올리고 중국과 기술 격차도 5년 이상으로 벌린다는 구상이다. 소재·부품·장비 자급도도 80%까지 끌어올릴 방침이다.

이와 관련 정부는 1조원 이상의 연구개발(R&D) 자금을 투입해준다. 특화단지 조성과 규제 해소 등 제도적 지원도 병행한다. 산업통상자원부는 지난 18일 이 같은 내용을 골자로 한 ‘디스플레이 산업 혁신 전략’을 발표했다.

한국은 지난 2004년 일본을 제치고 17년간 디스플레이 세계 1위를 지켜왔다. 부가가치가 상대적으로 낮은 액정표시장치(LCD)를 중심으로 한 중국의 추격에 2021년 1위 자리를 내주고 2위로 밀려났다. 작년 시장 점유율은 중국이 42.5%, 한국이 36.9% 수준이다. 대만이 18.2%로 3위다.

세계 시장을 선도하고 있는 조선·이차전지 업종에서도 기술 개발에 대한 의지가 확고하다. 정부는 조선 핵심 기자재 개발 등에 총 1800억원을 투입할 계획이다. 실증, 인증, 표준화를 위한 인프라 투자도 아끼지 않겠다고 약속했다. 조선사들도 고부가가치 친환경선을 중심으로 ‘초격차’를 시도하고 있다. HD현대는 최근 세계 최초로 선박 사이버 보안기술을 개발했다.

이차전지 업종에서는 차세대 기술 개발에 한창이다. 삼원계 시장에서 압도적인 경쟁력을 지닌 만큼 전고체 배터리, 수소연료전지, 동위원소전지 등 분야에도 적극적으로 투자하는 모습이다. 기술 장벽이 낮지만 중국 기업들이 강세를 보이고 있는 리튬인산철(LFP) 배터리에 대한 연구도 지속하고 있다.

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