SK하이닉스, 3분기 D램 흑자 전환…4분기 터널 통과할 듯

[에너지경제신문 여이레 기자] SK하이닉스가 올해 3분기 D램 흑자 전환에 성공했다. 지난 1분기 D램 적자 전환 후 2개 분기 만이다. 여기에 인공지능(AI) 특수로 새로운 수요처가 창출된 데다 하반기 메모리 감산 효과가 본격화할 것으로 예상되면서 SK하이닉스의 4분기 성장세가 더욱 가팔라질 것으로 기대된다.

SK하이닉스는 26일 올해 3분기 매출 9조662억원, 영업손실 1조7920억원(영업손실률 20%), 순손실 2조1847억원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다고 발표했다.

SK하이닉스는 3분기 실적 콘퍼런스 콜에서 "3분기말 재고 수준은 2분기 대비 의미있는 감소세를 보였다"면서 "하반기 들어 수요가 개선되고 있고 감산효과가 나타나는 만큼 연말엔 수익성이 증가할 것으로 보인다"고 전했다.

글로벌 IT 시장분석기관 IDC에 따르면 내년 글로벌 반도체 시장이 6210억달러(약 831조7053억원) 규모로 성장할 전망이다. 이는 올해 매출 전망치에서 20.2% 증가한 수치로 제품군별로는 D램과 낸드가 각각 17.3%, 14.9% 성장이 관측된다. 메모리업계 재고 조정 등에 힘입어 반도체 업황이 이미 바닥을 치고 회복세로 돌아섰다는 분석이다.

SK하이닉스는 올해 3분기 D램과 낸드 모두 판매량이 늘어났다고 밝혔다. SK하이닉스 관계자는 "고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다"며 "특히 대표적인 AI용 메모리인 HBM3(고대역폭메모리3), 고용량 DDR5(더블데이터레이트5)와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이고 있다"고 말했다.

이같은 흐름에 맞춰 SK하이닉스는 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편 HBM과 TSV에 대한 투자를 확대한다는 계획이다. SK하이닉스는 콘퍼런스 콜에서 "내년 시설투자(캐펙스)는 올해보다 증가할 것"이라며 "투자 효율성과 재무 건전성을 고려해 증가분을 최소화하겠다"고 전했다.

이어 SK하이닉스는 HBM 시장의 급성장을 전망했다. SK하이닉스는 "향후 5년간 AI 서버 시장은 40% 수준 성장할 것으로 전망되며 HBM 수요는 향후 5년간 연평균 80% 성장할 것으로 보고 있다"며 "SK하이닉스의 HBM3뿐 아니라 HBM3E까지 내년도 케파가 솔드아웃 됐다"고 자신감을 드러냈다.

10년 전인 지난 2013년 HBM을 세계 최초로 개발한 SK하이닉스는 지난해 4세대 제품인 HBM3를 선보이며 HBM 시장에서 독보적인 지위를 확보했다. 이어 GPU 1위 업체인 엔비디아에 HBM3를 단독으로 공급하며 HBM 사업을 확장하고 있다.

▲SK하이닉스 세계 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’

아울러 SK하이닉스는 지난 25일 세계 최고속 모바일용 D램 LPDDR5T에 대해 미국 퀄컴 테크놀로지와 성능 검증 완료하고 상용화에 나섰다. SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 만든 16GB 용량 패키지 제품을 고객에게 공급할 예정이다.

SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 "당사는 고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다"면서 "앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해낼 것이며, 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다"고 밝혔다.

한편 SK하이닉스는 이날 키옥시아와 웨스턴디지털 합병에 동의를 하지 않는다는 입장을 공식화했다. SK하이닉스 관계자는 "당사가 키오시아에 투자한 투자자산의 가치에 미치는 영향을 종합적으로 고려해서 현재 당사는 해당 건에 대해 동의하지 않고 있다"고 말했다.

gore@ekn.kr