내년 D램·HBM 반도체 시장 반등 전망…삼성·SK '호재'

▲삼성전자와 SK하이닉스.

[에너지경제신문 여이레 기자] 반도체 업황이 3분기 바닥을 찍었다는 분석이 제기되면서 삼성전자와 SK하이닉스가 웃음을 짓고 있다.

23일 글로벌 IT 시장분석기관 IDC는 내년 글로벌 반도체 시장이 6210억달러(약 831조7053억원) 규모로 성장할 것으로 관측했다. 이는 올해 매출 전망치에서 20.2% 증가한 수치로 제품군별로는 D램과 낸드가 각각 17.3%, 14.9% 성장할 전망이다. 삼성전자와 SK하이닉스 등을 필두로한 메모리업계 재고 조정 등에 힘입어 반도체 업황이 이미 바닥을 치고 회복세로 돌아섰다는 분석이다. 삼성전자는 지난 4월부터 메모리반도체 감산에 들어갔고, SK하이닉스는 이보다 이른 올해 초 감산에 돌입한 바 있다.

세계 최대 파운드리(반도체 칩 수탁생산) 기업 대만 TSMC도 3분기 실적 설명회에서 "최근 반도체 경기가 바닥 수준에 도달했다"고 밝혀 ‘반도체 3분기 바닥론’이 힘을 얻고 있다.

아울러 삼성전자는 지난 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’을 개최하고 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다. △HBM3E D램 ‘샤인볼트’ △LPDDR5X CAMM2 △탈부착 가능한 차량용 SSD스토리지(Detachable AutoSSD) 등이 그것이다.

지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고도 밝혔다. 삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있다. 이를 통해 단일 칩에서 100Gb 이상으로 용량을 확장할 계획이다. 또 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나간다.

SK하이닉스는 3분기 고대역폭메모리(HBM), 더블데이터레이트(DDR)5 등 고부가 가치 제품의 급부상으로 D램 부문 흑자 전환이 점쳐진다. 다만 전체 매출 30% 이상을 차지하는 낸드플래시는 적자에 머무를 것으로 보인다. SK하이닉스는 오는 26일 2023년 3분기 경영실적을 발표한다.

10년 전인 2013년 HBM을 세계 최초로 개발한 SK하이닉스는 지난해 4세대 제품인 HBM3를 선보이며 HBM 시장에서 독보적인 지위를 확보했다. 이어 GPU 1위 업체인 엔비디아에 HBM3를 단독으로 공급하며 HBM 사업을 확장하고 있다.

SK하이닉스는 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 메모리에 연산 기능을 통합한 차세대 메모리 솔루션인 ‘CMS 2.0’도 공개했다. CXL은 중앙처리장치(CPU)와 메모리 사이의 불필요한 데이터 이동을 최소화한 차세대 기술이다.

내년 서버 시장 반등도 메모리 반도체에 주력하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스의 실적을 견인할 것으로 전망된다. 서버 시장은 메모리 반도체 주요 수요처 중 하나로 서버 산업이 D램과 낸드 시장에서 차지하는 비중은 37%, 26%에 달한다. 소비자용 제품에 비해 제품 가격도 높다.

여기에 미국이 대중 반도체장비 수출통제 한국 기업 유예 조치를 무기한 유예하면서 삼성전자와 SK하이닉스는 큰 부담을 덜었다. 삼성전자 중국 시안 공장은 낸드플래시 전체 생산량의 40%를, SK하이닉스는 중국 다렌과 우시 공장에서 각각 낸드 20%, D램 40%를 생산한다.