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▲12일 오전 경기도 수원시 영통구 수원지방검찰청에서 박진성 방위사업·산업기술범죄수사부장이 반도체공장 설계자료 해외유출사건 중간 수사결과를 발표하고 있다. |
수원지검 방위사업·산업기술범죄수사부는 12일 산업기술보호법위반, 부정경쟁방지법위반(영업비밀국외누설 등) 등 혐의로 삼성전자 전 상무 A씨를 구속기소 했다고 밝혔다.
A씨는 지난 2018년 8월부터 2019년까지 삼성전자의 영업비밀인 반도체 공장 BED와 공정 배치도, 설계도면 등을 부정 취득·부정 사용한 혐의를 받는다. 이들 기술은 30나노 이하급 D램 및 낸드플래시를 제조하는 반도체 공정 기술로, 국가핵심기술에 해당한다.
A씨는 중국 청두시로부터 4600억원을 투자받아 반도체 제조 공장을 만들고 삼성전자 반도체 기술이 적용된 반도체 시제품을 생산한 것으로 알려졌다.
중국에 반도체 제조 공장을 설립한 뒤 A씨는 국내 삼성전자와 SK 하이닉스 인력 200명을 고용했다. A씨는 직원들에게 삼성전자 반도체 설계 자료 등을 입수해 활용하라고 지시했고 직원들은 지시에 따라 범행에 가담했다.
A씨는 또 중국 시안에 있는 삼성전자 반도체 공장과 불과 1.5㎞ 떨어진 곳에 삼성전자 복사판인 또 다른 반도체 공장을 건설하려 한 것으로 조사됐다. 다만 대만의 전자제품 생산업체가 A씨에게 약정한 8조원 투자가 불발되면서 공장이 실제로 건설되진 않았다.
검찰은 이번 기술 유출로 삼성전자가 최소 3000억원에 이르는 피해를 본 것으로 추산했다.
검찰 관계자는 "단순히 반도체 기술 유출이 아닌, 반도체 공장을 통째로 복제 건설하려 한 시도를 엄단했다"며 "반도체 생산 경쟁이 치열해지는 상황에서 국내 반도체 산업 근간을 흔드는 중대 범행"이라고 지적했다.
한편, A씨는 삼성전자에서 18년 동안 근무하며 반도체 분야 임원을 역임한 뒤 SK하이닉스로 자리를 옮겨 부사장 등을 지낸 것으로 알려졌다.
gore@ekn.kr