SK하이닉스 ‘10나노급 DDR5’ 데이터센터 호환성 검증 돌입

▲SK하이닉스 1b DDR5 서버용 64기가바이트 D램 모듈(16기가비트 기반 제품 이미지.

[에너지경제신문 여헌우 기자] SK하이닉스는 10나노급 5세대(1b) D램 기술 개발을 완료하고 해당 기술의 데이터센터 호환성 검증에 돌입했다고 30일 밝혔다.

SK하이닉스는 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 ‘인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램’ 검증 절차를 시작했다.

이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 ‘제온 스케일러블’에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 성격을 갖고 있다. 플랫폼은 하드웨어와 소프트웨어 기술이 집약된 컴퓨팅 시스템을 뜻한다.

이번에 인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)다. SK하이닉스 기술진은 현재 시장에 나와 있는 DDR5 중 최고 속도를 구현했다고 설명했다. 이는 DDR5 초창기 시제품보다 데이터 처리 속도가 33% 향상된 것이다.

또 회사는 이번 1b DDR5에 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용해 1a DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다. HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정이다.

SK하이닉스 관계자는 "1b 기술 개발을 통해 글로벌 고객들에게 높은 성능과 우수한 전성비를 두루 갖춘 D램 제품을 공급할 수 있게 될 것"이라고 설명했다.

김종환 SK하이닉스 DRAM개발담당 부사장은 "이번 제품에 앞서 지난 1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업계 최초로 인증 받았다"며 "이번 1b DDR5 제품 검증도 성공적으로 마무리될 것으로 본다"고 말했다.

김 부사장은 또 "올해 하반기부터 메모리 시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데 당사는 1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 가속화할 것"이라며 "내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 LPDDR5T, HBM3E로도 확대 적용할 것"이라고 밝혔다.




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