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▲SK하이닉스가 신개념을 도입한 세계 최고속 서버용 D램 제품인 ‘DDR5 MCR DIMM’ 샘플(시제품) 개발에 세계 최초로 성공했다고 8일 밝혔다. |
신제품 개발에는 동작 속도를 높이기 위해 새로운 개념이 도입됐다. 그동안 DDR5 속도는 D램 단품 동작 속도에 좌우된다는 개념이 일반적이었다. 하지만 이번 제품에서는 D램 단품이 아닌 모듈로 속도를 높이는 방향으로 개발이 진행됐다.
SK하이닉스 기술진은 MCR DIMM에 탑재한 핵심 부품인 데이터 버퍼(Buffer)를 사용해 D램 모듈 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계했다.
이에 따라 보통 D램 모듈에서는 1개 랭크에서 한번에 64바이트 데이터가 중앙처리장치(CPU)에 전송되지만 MCR DIMM에서는 2개 랭크가 동시 동작해 128바이트가 CPU에 전송된다. 이처럼 모듈에서 CPU로 가는 회당 데이터 전송량을 늘림으로써 SK하이닉스는 D램 단품보다 2배 가까이 빠른 8Gbps를 넘는 속도를 구현했다.
SK하이닉스는 미국 인텔, 일본 르네사스와 글로벌 협업이 주효했다고 강조했다. 3사는 제품이 나오고 세계 최고 속도와 성능이 검증되기까지 긴밀하게 협업해 왔다.
류성수 SK하이닉스 D램상품기획담당 부사장은 "당사 모듈 설계 역량에 인텔 서버 CPU와 르네사스 버퍼 기술력이 융합되면서 제품 개발이 가능했다"며 "실제로 MCR DIMM이 안정적으로 성능을 내려면 모듈 내외에서 함께 동작하는 데이터 버퍼와 서버 CPU간 상호작용이 매우 중요하다"고 말했다. 데이터 버퍼는 모듈에서 보내는 신호를 중간에서 전송해주고 서버 CPU는 데이터 버퍼를 거쳐 오는 신호를 받아들여 처리하는 역할을 한다.
이어 류 부사장은 "세계 최고 속도 MCR DIMM 개발을 통해 당사는 또 한 번 DDR5 기술력 진화를 이뤄냈다"며 "앞으로도 당사는 기술한계 돌파를 위해 지속해서 노력해 서버용 D램 시장에서 1등 경쟁력을 공고히 하겠다"고 덧붙였다.
디미트리오스 지아카스 인텔 메모리 IO(Input/Output) 기술부문 부사장은 "인텔은 SK하이닉스와 함께 당사 차세대 서버 CPU에 최적화돼 적용될 초고속 제품 개발을 주도해왔다"며 "앞으로도 양사는 MCR DIMM 표준화와 후속 제품 개발을 위해 긴밀히 협업하겠다"고 말했다.
사미르 쿠파할리 르네사스 메모리 인터페이스 부문 부사장은 "이번에 르네사스가 개발한 데이터 버퍼는 제품의구상부터 완성까지 3년 동안 여러 기술이 집약된 노력의 결실"이라며 "SK하이닉스, 인텔과 협업해 혁신적인 제품을 개발하게 되어 자랑스럽다"고 밝혔다.
jinsol@ekn.kr
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