삼성전자, 업계 최선단 ‘12나노급 DDR5 D램’ 개발

▲삼성전자가 업계 최선단 12나노미터(㎚)급(5세대 10나노급) 공정으로 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다.

[에너지경제신문 이진솔 기자] 삼성전자가 업계 최선단 12나노미터(㎚)급(5세대 10나노급) 공정으로 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다.

유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터 용량을 높이고 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단 공정을 완성했다고 회사 측은 밝혔다. 또 멀티레이어 극자외선(EUV) 기술을 활용해 집적도를 업계 최고 수준으로 높였다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.

DDR5 규격을 따르는 신제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30기가바이트(GB) 용량인 영화 2편을 처리할 수 있는 속도에 해당한다. 또 신제품은 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다.

삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이며 내년 본격 양산에 들어가 데이터센터와 인공지능(AI), 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대를 위한 기폭제가 될 것"이라며 "차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 고객이 지속 가능한 경영 환경을 만드는 데 기여할 것"이라고 말했다.

조 매크리 AMD 최고기술책임자(CTO)는 "기술 한계를 뛰어넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너간 긴밀한 협력이 필요하다"며 "AMD ‘젠’ 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력해 기쁘다"고 말했다.


jinsol@ekn.kr