韓美 정상 ‘반도체 공장 시찰’ 이재용 부회장 함께했다

▲20일 삼성전자 반도체 공장을 방문한 조 바이든 미국 대통령(왼쪽 첫 번째)과 윤석열 대통령(왼쪽 두 번째)이 이재용 삼성전자 부회장(왼쪽 세 번째)의 안내를 받고 있다.연합

[에너지경제신문 여헌우 기자] 윤석열 대통령이 20일 방한한 조 바이든 미국 대통령과 삼성 반도체 평택 캠퍼스를 둘러봤다. 특히 이재용 삼성전자 부회장이 세계 최대 반도체 공장으로 꼽히는 이 곳을 직접 안내해 눈길을 끌었다.

바이든 대통령은 이날 오후 5시 23분께 전용 공군기 에어포스원 편으로 오산 미 공군기지에 도착했다. 박진 외교부 장관 등이 한국 정부를 대표해 바이든 대통령 일행을 맞이했다.

바이든 대통령은 입국 이후 곧바로 삼성전자 반도체 공장으로 이동했다. 오후 6시 5분께 차량 행렬이 공장 4번 게이트를 통과했다.

오는 21일 용산 대통령실 청사에서 열리는 한미정상회담에 앞서 이번 회담이 글로벌 공급망 협력과 경제 안보에 초점을 맞추고 있다는 점을 시사하는 장소 선정이라는 평가다.

윤 대통령은 오후 6시 11분께 공장 정문 앞에 대기하고 있다가 바이든 대통령을 직접 영접했다. 두 정상은 22초간 서로 악수한 손을 놓지 않고 인사말을 나눴다.

두 정상은 이재용 삼성전자 부회장의 안내로 공장 내부를 시찰했다. 가동 중인 1라인(P1)과 건설 중인 3라인(P3)을 함께 둘러봤다.

해당 일정에는 한국 측에서 박진 외교부·이창양 산업통상자원부·이종호 과학기술정보통신부 장관과 김성한 국가안보실장, 최상목 경제수석, 왕윤종 경제안보비서관 등 100여명이 함께했다. 미국 측에서는 지나 러몬드 상무장관, 제이크 설리번 백악관 국가안보보좌관, 크리스토퍼 델 코르소 주한미대사 대리, 대니얼 크리튼브링크 동아태 차관보 등 50여 명이 동행했다.

이 부회장은 삼성전자가 조만간 양산하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노미터 반도체 시제품을 바이든 대통령에게 소개한 것으로 전해졌다.


yes@ekn.kr