삼성전자, 美서 ‘파운드리 포럼’…3나노 GAA 공정 선봬

▲정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장이 14일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’에서 기조 연설을 하고 있다. 사진 제공=삼성전자

[에너지경제신문=이종무 기자] 삼성전자가 미국에서 ‘파운드리(반도체 위탁생산) 포럼’을 열고 차세대 ‘3나노 GAA 공정’을 소개했다.

삼성전자는 14일(현지시간) 미국 산타클라라에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’를 열고 1세대 3나노 GAA(GAE) 공정 설계 키트를 반도체 설계 전문업체(팹리스) 고객들에 배포했다고 15일 밝혔다.공정 설계 키트는 파운드리 회사의 제조 공정에 맞는 설계를 지원하는 데이터 파일이다. 팹리스 업체의 제품 설계에 용이해 시장 출시까지 소요 기간이 단축돼 경쟁력을 높일 수 있다.

삼성전자는 3GAE 공정이 최신 양산 공정인 7나노 핀펫 대비 칩 면적을 45% 가량 줄일 수 있어 50%의 소비 전력 감소와 35%의 성능 향상 효과를 기대하고 있다.

특히 삼성전자는 3나노 공정에서 독자 기술(MBCFETTM·멀티 브릿지 채널 펫)을 통한 차별화된 이점을 팹리스 고객사에 제공한다는 계획이다. 이 기술은 기존의 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA 구조를 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노 시트를 적층하는 방식으로, 성능과 전력 효율을 높이는 것은 물론 핀펫 공정과도 호환성이 높아 기존 설비와 제조 기술을 활용할 수 있다는 게 삼성전자 측의 설명이다.

삼성전자는 또 올해 포럼에서 팹리스 고객 지원 프로그램(세이프TM-클라우드)을 소개했다. 삼성전자는 이 서비스를 아마존웹서비스(AWS), 마이크로소프트(MS), 자동화 설계 툴(EDA) 업체인 케이던스, 시놉시스와 함께 진행한다. AWS와 MS는 이 프로그램에서 클라우드 환경을 제공하고, 케이던스와 시놉시스는 클라우드와 EDA 등 설계 툴을 제공하는 방식이다. 삼성전자는 이를 통해 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공한다는 계획이다.

삼성전자는 공정 설계 키트(PDK), 설계 방법론(DM), EDA, 설계 자산(라이브러리, IP) 등 반도체 설계 편의를 제공하는 이 서비스로 팹리스 업체들이 투자 비용을 줄이고 보다 빠른 반도체 제작이 가능할 것으로 보고 있다.

정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 "반도체 공정·생산·패키지 분야의 앞선 기술뿐만 아니라 파운드리 업체·고객·파트너가 서로 신뢰하고 비전을 공유하는 것도 매우 중요하다"며 "이번 포럼을 통해 삼성전자의 기술적 성과와 목표를 공유하는 자리가 됐다"고 평가했다.