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▲VTFET웨이퍼 |
[에너지경제신문 이진솔 기자] 삼성전자가 IBM과 협력해 반도체 미세화를 위한 난제를 해결할 기술을 개발했다.
삼성전자와 IBM이 기존 핀펫(finFET) 공정 칩보다 두배 개선된 성능을 구현할 신규 반도체 설계방식 ‘VTFET(Vertical Transport Field Effect Transistor)’을 15일 발표했다.
VTFET 공정 개발로 ‘반도체 회로 내 집적되는 트랜지스터 수가 2년마다 2배씩 증가한다’는 ‘무어의 법칙’을 지속할 수 있게 됐다고 IBM은 설명했다. 해당 기술은 기존에 트랜지스터를 수평으로 쌓던 방식을 초월해 칩 표면에 수직으로 트랜지스터를 쌓아 전류를 위아래로 흐르게 하는데 성공했다.
전류 낭비를 줄이는 동시에 더 많은 전류가 흐를 수 있게 지원하는 이 설계 방식은 기존 핀펫(finFET) 공정 칩 대비 2배 성능을 보이거나 전력 사용량을 85% 절감토록 하는 것을 목표로 개발됐다.
IBM은 새로운 VTFET 아키텍처가 개발됨에 따라 현행 나노 공정의 한계를 뛰어넘어 반도체 성능 확장을 지속할 수 있고 1주일간 충전 없이도 사용할 수 있는 휴대전화 배터리를 개발할 수 있다고 강조했다.
또 암호화폐 채굴 및 데이터 암호화 등 높은 전력을 필요로 하는 작업의 전력 사용량과 탄소 배출량을 절감할 수 있으며, 해양부표, 자율주행차, 우주선 등 더 다양한 환경에서 전력 소비량이 낮은 사물인터넷(IoT)과 에지 기기 운용을 지원할 수 있다고도 설명했다.
한편 IBM은 삼성이 5나노 노드에 기반한 IBM 칩을 생산할 것이라고 밝혔다. 생산된 칩은 IBM의 자체 서버 플랫폼에서 활용될 것으로 예상된다.
무케시 카레 IBM 리서치 하이브리드 클라우드 및 시스템 담당 부사장은 "오늘 발표한 기술은 일상과 비즈니스를 개선하고 환경에 미치는 영향을 줄이는 새로운 혁신을 제공한다"며 "IBM과 삼성은 반도체 설계 부문 혁신은 물론 ‘하드 테크’를 추구해 나가는 데 함께 노력하고 있다"고 말했다.
jinsol@ekn.kr
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