삼성전자 차세대 D램, 전기 덜 쓰는데 성능은 두배

▲삼성전자 512GB DDR5 모듈 이미지.

[에너지경제신문 여헌우 기자] 삼성전자가 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트‘(HKMG) 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다. 기존 공정 대비 약 13% 전력소모 낮췄지만 성능은 2배 이상 빨라진 게 특징이다.

25일 삼성전자에 따르면 DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능이다. 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로도 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도다.

이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량·고성능·저전력을 구현한다고 삼성전자는 설명했다. 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다.

이번에 개발된 DDR5 메모리는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현했다. HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해, 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

또 이번 제품에는 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 실리콘 관통 전극(TSV) 기술이 적용됐다. 삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다.

삼성전자는 2014년 세계최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있다.

삼성전자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술이 적용된 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화한다는 방침이다.

선영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다"며 "이러한 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다"고 말했다.


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