SK하이닉스, 업계 첫 'HBM3' D램 개발…풀HD 영화 163편 1초에 처리

▲SK하이닉스가 현존 최고 사양 D램인 ‘HBM3’를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다.

[에너지경제신문 이진솔 기자] SK하이닉스가 현존 최고 사양 D램인 ‘HBM3’를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다. HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 HBM의 4세대 제품이다.

SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 ‘HBM2E’ D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발하며 시장 주도권을 확고히 했다. SK하이닉스 관계자는 "이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론 품질 수준도 크게 높였다"고 강조했다.

속도 측면에서 HBM3는 초당 819기가바이트(GB) 데이터를 처리할 수 있다. 이는 초고화질 영화(5GB) 163편 분량에 달하는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다.

제품에는 오류정정코드(On Die - Error Correction Code)가 내장된다. HBM3는 코드를 통해 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터 오류를 스스로 보정할 수 있다. 제품 신뢰성도 크게 높아졌다는 설명이다.

HBM3는 16GB와 24GB 등 두 가지 용량으로 출시될 예정이다. 특히 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 약 30마이크로미터(㎛) 높이로 갈아낸 후 칩 12개를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해냈다.

앞으로 HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며 인공지능(AI) 완성도를 높이는 머신러닝(Machine Learning)과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다.

차선용 SK하이닉스 부사장은 "세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다"며 "앞으로도 프리미엄 메모리 시장 리더십을 공고히 하는 한편 환경·사회·지배구조(ESG) 경영에 부합하는 제품을 공급해 고객 가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다"고 말했다.


jinsol@ekn.kr