|
▲삼성전자 업계 최선단 ‘14나노 DDR5 D램’ |
지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사에 공급한 바 있는 삼성전자는 반도체 회로를 더욱 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 D램 성능과 수율을 높여 14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보해 나갈 계획이다.
14나노 D램은 5개 레이어에 EUV 공정이 적용됐다. 업계 최고 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐고 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다는 게 삼성전자의 설명이다.
삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다. 최근 인공지능(AI), 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 커지고 있다.
삼성전자는 업계 최선단 14나노 공정과 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현해 DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다. 또 고용량 데이터 시장 수요에 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 전무는 "삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해 반도체 미세 공정 한계를 극복해 왔으며 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단 14나노 공정을 구현했다"며 "고용량, 고성능뿐만 아니라 높은 생산성으로 5세대(5G) 이동통신·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다"고 말했다.
jinsol@ekn.kr
;){kind=link}