SK하이닉스, HBM 업고 고속성장…삼성전자와 정면승부

▲SK하이닉스 HBM3.

[에너지경제신문=정희순 기자] SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 등 프리미엄 메모리 반도체 제품군에서 세계 1위 삼성전자와 격차를 5%포인트 이내로 좁혔다. 반도체 업황 회복이 예상되는 가운데, 양사가 D램 시장에서 정면 승부를 하게 될 것으로 보인다.

27일 글로벌 시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 3분기 글로벌 D램 시장 점유율에서 삼성전자가 39.4%로 1위, SK하이닉스가 35.0%로 2위를 차지했다. SK하이닉스의 이번 시장 점유율은 역대 최고치로, 지난 2분기 31% 대비 4% 가량 올랐다. 삼성전자의 점유율은 2분기 40.0%에서 39.4%로 소폭 하락했다.

SK하이닉스 D램 부문은 올해 3분기 주력 제품 판매가 호조를 보이면서 2개 분기 만에 먼저 흑자로 돌아섰다. 특히 올해 인공지능 관련 수요 증가와 맞물려 고대역폭메모리(HBM) 매출이 크게 늘었다. HBM은 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 고성능 메모리 제품이다. 그래픽처리장치(GPU)엔 필수로 HBM이 탑재돼, AI 시장이 고도화될수록 수요가 늘어날 수밖에 없다.

SK하이닉스는 지난달 열린 3분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3뿐 아니라 HBM3E까지 내년도 캐파(생산능력)가 ‘솔드아웃’됐다"며 "고객 추가 수요 문의도 들어오고 있어 수요 기반 관점에서 보면 확실한 가시성을 가지고 있다"고 말했다.

삼성전자도 D램 평균판매단가(ASP) 상승과 출하량 증가 등으로 전분기 대비 적자 폭을 6000억원 가량 줄였으나, 흑자 전환에는 실패했다.

업계에선 4분기 D램 시장이 회복세를 보이면서, 양사가 정면 승부를 펼칠 것으로 보고 있다. 특히 삼성전자는 HBM3 판매 비중을 지속적으로 늘려 나가는 한편 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 차세대 초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트’를 지난달 선보였다.

SK하이닉스는 LPDDR 부문에서 고삐를 당긴다. SK하이닉스는 지난 1월 LPDDR5T 개발에 성공한 후 최근 제품 상용화에 성공했다.

한편 전날 산업연구원은 ‘2023년 11월 현황과 12월 전망’을 통해 반도체 업황 전망 전문가 서베이지수(PSI)가 163으로 전체 산업군 중 가장 높은 것으로 나타났다고 밝혔다. 이는 전달(153)보다도 10포인트가량 상승한 수치로, 기준치(100)보다 높을수록 업황이 좋다는 의미다.


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