기존 반도체보다 집적화·동작속도·비휘발성 뛰어난 기억소자 발견

기존 반도체보다 집적화·동작속도·비휘발성 뛰어난 기억소자 발견

한국외대 정창욱 교수팀 ‘저항스위칭 메모리 현상 매커니즘 규명

국제저명학술지 어드밴스드 머티리얼즈에 논문 게재

▲정창욱 한국외국어대학교 교수

[에너지경제신문 이나경 기자] 한국외국어대학은 자연과학대 전자물리학과의 정창욱 교수팀이 기존 반도체보다 집적화·동작속도·비휘발성이 뛰어난 기억소자를 발견했다고 8일 밝혔다.

한국외대에 따르면 정 교수는 독일 아헨공대의 디트만(R. Dittmann)교수와 와셔(R. Waser)교수, 서울대 김미영 교수와 공동연구를 통해 고유한 층상구조를 가지는 금속산화물인 ‘SrFeOx’에서 발생하는 저항스위칭 메모리 현상의 매커니즘을 밝히는데 성공했다. 이 연구에서 한국외대 연구팀은 세계최초로 저항스위칭을 발견한 SrCoO2.5와 SrFeO2.5 물질에서 이상전이가 매우 재현성 있고 10ns이하의 초고속 스위칭이 일어난 다는 것을 규명했다. 이 연구를 위해 정교수팀은 이탈리아 트리에스테의 첨단 가속기 연구소에서 나노수준의 분광기를 이용했다. 저항스위칭기억소자는 기존의 메모리인 DRAM, SRAM, FLASH에 비해서 집적화, 동작스피드, 비휘발성 등 여러 가지 면에서 큰 장점을 가진 것으로 평가된다. 특히 최근 주목받고 있는 뇌모방 정보처리와도 관련돼 의학계 등으로부터 비상한 관심을 끌고 있다.

이 내용이 담긴 논문은 지난달 국제 권위의 학술지인 ‘어드밴스드 머티리얼즈’에 게재됐다. 이 논문의 교신저자는 정창욱 교수며 제1저자는 한국외대 박사과정 중인 래비안달(Raveendar)이다.

한편 이 연구는 한국연구재단의 중견연구자 지원사업의 지원으로 진행됐다.

이나경 기자 nakyeong1112@ekn.kr