조덕수 RFHIC 대표 "트랜지스터 글로벌 리더 도약"

▲조덕수 RFHIC 대표이사.

[에너지경제신문=나유라 기자] 조덕수 알에프에이치아이씨(RFHIC) 대표는 21일 "다음달 초 코스닥시장 상장을 계기로 트랜지스터 및 전략증폭기 분야의 글로벌 리더로 도약하겠다"고 밝혔다.

조 대표는 서울 여의도에서 열린 기자간담회에서 이같이 밝혔다.

1999년 설립된 RFHIC는 무선주파수 증폭기 제조업체로 무선통신장비용 반도체 부품을 전문적으로 생산, 판매하고 있다. 국내에서 유일하게 GaN(질화갈륨) 소재를 적용한 GaN 트랜지스터 및 통신용, 레이더용 전력증폭기를 생산한다. 성능 대비 높은 가격 때문에 인공 위성 및 방산 등 제한된 용도로 사용되던 차세대 화합물 반도체 소재인 GaN을 통신용으로 대량 양산해 기존 시장을 장악하던 실리콘 기반 LDMOS 소재와 경쟁할 수 있는 체제를 구축했다는 평가를 받고 있다. 향후 5G 시대에는 사용 주파수 및 데이터의 전송 속도, 양, 수요 등이 모두 증가하면서 기존 실리콘 기반 LDMOS 소재로는 한계가 있는 만큼 GaN을 활용한 트랜지스터와 전력증폭기가 폭발적으로 성장할 것으로 기대된다.

RFHIC는 지난 2014년 세계 1위 통신장비업체 화웨이와 거래를 개시해 기존 삼성전자를 비롯한 거래처 다변화에 성공했다. 지난해 전체 매출액 612억원 가운데 화웨이가 차지하는 비중은 50%가 넘는다. 올해는 노키아 등 신규거래처를 추가로 확보했다. 

RFHIC는 통신부문에서 획득한 노하우를 바탕으로 방산부문에 진출하는 등 사업영역을 확장하고 있다. 국내 방산업체인 LIG넥스원은 물론 글로벌 방산업체인 록히드 마틴(Lockheed Martin), BAE 시스템즈(BAE Systems) 등 다양한 기업에 벤더로 등록을 완료했다. RFHIC 측은 "향후 군사용 레이더 시스템 시장에 가격경쟁력을 지닌 제품을 공급, 시장을 빠르게 공략할 계획"이라며 "경쟁사와의 기술 격차를 확대하기 위해 미래 신소재인 웨이퍼를 개발 및 양산해 세계 최초로 무선통신시장과 방산시장에 적용할 방침"이라고 밝혔다.

한편, RFHIC는 지난 3월 엔에이치스팩8호와 합병계약을 체결했으며, 합병 신주는 다음달 1일 상장될 예정이다. 이번 상장으로 유입되는 자금은 GaN on Diamond를 활용한 제품 개발 등에 활용할 계획이다.