SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발

▲SK하이닉스가 개발한 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램.

[에너지경제신문=이종무 기자] SK하이닉스가 업계 최고 수준의 용량과 전력 효율을 갖춘 10나노급(1z) 16기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다.

SK하이닉스는 3세대 10나노급 미세 공정을 적용한 16Gb DDR4 D램을 개발했다고 23일 밝혔다.

이 제품은 2세대(1y) 대비 생산성이 27% 향상됐다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량이 현존하는 D램 가운데 가장 크다. 전력 소비도 40% 줄였다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps(초당 메가비트)까지 구현할 수 있다.

이 제품에는 D램 동작의 핵심 요소인 정전 용량을 극대화하기 위해 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용했다. 새로운 설계 기술도 도입해 동작 안정성도 높였다. 또 초고가의 극자외선(EUV) 노광 공정 없이도 생산할 수 있어 원가 경쟁력도 갖췄다는 게 SK하이닉스 측 설명이다.

SK하이닉스는 여러 응용처에 3세대 10나노급 미세 공정 기술을 차세대 모바일 D램 ‘LPDDR5’와 최고속 D램 ‘HBM3’ 등에도 확대 적용해나간다는 계획이다. 10나노급 16Gb DDR4 D램은 내년부터 본격 양산에 들어간다는 방침이다.

이정훈 SK하이닉스 D램개발사업 1z TF장(담당)은 "이번에 개발된 제품은 업계 최고 수준 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능·고용량 D램을 찾는 고객의 수요 변화에 가장 적합한 제품"이라며 "연내 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것"이라고 말했다.