▲삼성전자가 8일부터 열리는 미국 플래시 메모리 서밋 2017에서 서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 새로운 규격의 ‘NGSFF SSD’를 공개했다. (사진=삼성전자) |
▲기존 NVMe SSD 제품대비 성능을 획기적으로 향상시킨 하이엔드 SSD제품 ‘Z-SSD’. (사진=삼성전자) |
[에너지경제신문 이수일 기자] 삼성전자가 8일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2017’에서 세계 최대용량의 V낸드와 차세대 SSD 솔루션을 선보였다.
플래시 메모리 서밋은 매년 8월 8~10일 미국에서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계 콘퍼런스다.
삼성전자는 이번 서밋에서 △세계 최대 용량의 1Tb V낸드 △서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 NGSFF SSD △기존 SSD보다 성능을 획기적으로 향상시킨 Z-SSD △신개념 데이터 저장방식을 적용한 ‘키 밸류(Key Value) SSD 등을 공개했다.
1Tb 낸드는 3차원 셀(Cell) 용량을 기존(512Gb)보다 2배 늘린 제품이다. 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2TB를 만들 수 있어, SSD의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다.
삼성전자는 2018년 1Tb V낸드가 적용된 최대용량의 SSD 제품을 본격 출시할 예정이다.
NGSFF SSD는 서버 시스템 내 저장장치의 공간활용도를 극대화 할 수 있는 신규 SSD 규격이다. 기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 NGSFF SSD로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상 시킬 수 있다.
삼성전자는 이날 서밋에서 16TB NGSFF SSD 36개를 탑재한 576TB의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개했고, 2U 시스템으로 1PB(페타바이트)의 스토리지 시스템을 구현할 수 있다.
또한 오는 4분기부터 NGSFF SSD를 양산해 고객 수요에 대응하고, 내년 1분기 JEDEC 표준화를 완료해 데이터센터 및 다양한 서버 고객들이 더욱 효율적으로 시스템을 구축할 수 있게 할 예정이다.
Z-SSD는 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한 하이엔드 SSD 제품이다. 기존 NVMe SSD 대비 읽기 응답속도가 7배 빠른 15㎲로, 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 응답속도 구현이 가능하다.
Z-SSD가 실시간 빅데이터 분석, 고성능 서버용 캐시 등 빠른 응답성이 요구되는 분야에 최적의 솔루션이 될 것이라고 삼성전자는 기대감을 표시했다.
삼성전자는 올해 플래시 메모리 서밋에서 처음으로 Z-SSD를 선보였으며, 현재 Z-SSD 샘플을 통해 다양한 업체들과 협력방안을 논의 중이다.
키 밸류 SSD는 비정형 데이터 저장에 특화된 신개념 기술이다. 기존 SSD의 경우 특정 크기로 변환해 저장하지만, 키 밸류 SSD의 경우 별도의 전환 과정 없이 데이터를 그대로 저장할 수 있어 시스템의 데이터 입출력 속도를 높이고, SSD의 수명을 향상 시킬 수 있다.
그동안 삼성전자는 2013년 세계 최초 V낸드(1세대, 24단) 양산을 시작으로, 올해 4세대 V낸드를 양산하는 등 낸드플래시 혁신을 주도해왔다. 향후에도 첨단 솔루션을 통해 프리미엄 메모리 시장을 선도해 나갈 계획이다.
진교영 삼성전자 메모리사업부장은 "지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해, 고객 가치를 극대화하겠다"며 "AI(인공지능)·빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나가겠다"고 말했다.